1成果简介
韩国基础科学研究院DaLuo和RodneyS.Ruoff团队在《Nature》期刊发表名为“Single-crystal,large-area,fold-freemonolayergraphene”的论文，研究报道了在K和K之间的生长温度范围内，使用乙烯作为碳前体在单晶Cu-Ni()合金箔（20.0at%Ni）上可实现生产大面积、无折叠、单晶单层石墨烯薄膜。由这些薄膜制备的场效应晶体管（GFETS）对空穴和电子的平均室温载流子迁移率约为(7.0±1.0)×cm2V-1s-1。该过程允许在平行堆叠的多个箔上同时生长相同质量的石墨烯，并且箔片本身可以基本上无限期地重复使用。
2图文导读
图1：通过循环实验研究石墨烯折叠形成的机制。
图2：生长温度函数的折叠演变。
图3：无折叠石墨烯薄膜的表征。
图4：无折叠石墨烯薄膜的传输特性。
3小结
研究人员发现从生长温度下降到K时，由Cu-Ni()箔衬底收缩引起的界面压应力完全通过褶皱的形成进而释放。在K和K之间的温度下（或更短的温度范围内）突然形成聚束台阶导致了褶皱。在K和K之间的生长温度范围内，使用乙烯作为碳前驱体在单晶Cu-Ni()合金箔（20.0at%Ni）上生产大面积、无褶皱、单晶单层石墨烯薄膜。由于没有褶皱、晶界和粘附层，该薄膜在整个区域显示出均匀的GFET性能，并且对于空穴和电子具有大约7.0×cm2V-1s-1的平均室温载流子迁移率。这些载流子迁移率与在高于K的温度下生长的单晶石墨烯的迁移率相当。大面积无褶皱薄膜允许直接制造在整个薄膜上面向任何方向的集成高性能设备。由于没有褶皱并且还可以去除波纹（例如通过蜡转移方法），这些单晶石墨烯薄膜可以在依赖于堆叠“完美”层的实验和应用中发挥重要作用。文献：
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